More products
50mW 850nm TO-Mount Laser Diode TO-18
р.
р.
В корзину
Абсолютные максимальные значения (Тс=25℃)
Оптическая выходная мощность Po 50mw
LD Обратное напряжение Vr (LD) 2v
Температура хранения Tstg -40 ~ 80℃
Температура рабочего корпуса Tc -20 - 50℃
Исходные электрические/оптические характеристики (Тс=25℃)
Оптический выход Po 50mw
Пиковая длина волны* λp 850± 5nm
Пороговый ток Ith ≤0,02 А
Рабочий ток Iop ≤0,17 А
Наклонная эффективность η ≥1,0w/А
Рабочее напряжение ≤1,9v
Горизонтальное расхождение θ∥ ≤8deg
Вертикальная расходимость луча θ⊥ ≤18deg
Спектр на полувысоте <0,5
Температурный коэффициент длины волны 0,28nm/℃
Поляризация ТE
Одиночный излучатель: TO-Mount
Left
Right
Ваше имя
Ваш Email
Ваш телефон
Отправить