More products

50mW 850nm TO-Mount Laser Diode TO-18

В корзину
  • Абсолютные максимальные значения   (Тс=25℃)
  • Оптическая выходная мощность Po   50mw
  • LD Обратное напряжение Vr (LD)   2v
  • Температура хранения Tstg   -40 ~ 80℃
  • Температура рабочего корпуса Tc   -20 - 50℃
  • Исходные электрические/оптические характеристики   (Тс=25℃)
  • Оптический выход Po   50mw
  • Пиковая длина волны* λp   850± 5nm
  • Пороговый ток Ith    ≤0,02 А
  • Рабочий ток Iop    ≤0,17 А
  • Наклонная эффективность η     ≥1,0w/А
  • Рабочее напряжение     ≤1,9v
  • Горизонтальное расхождение θ∥    ≤8deg
  • Вертикальная расходимость луча θ⊥    ≤18deg
  • Спектр на полувысоте   <0,5
  • Температурный коэффициент длины волны   0,28nm/℃
  • Поляризация   ТE

Одиночный излучатель: TO-Mount