150W 905nm High Power Diode Laser Chip

  • Центральная длина волны   890nm - 905nm - 920nm
  • Выходная мощность   150w
  • Рабочий режим   QCW
  • Ширина спектра   5nm
  • Ширина излучателя   500um
  • Ширина чипа   400um
  • Длина полости   750um
  • Толщина   150um
  • Быстрое расхождение осей (FWHM)   30 градусов
  • Медленное расхождение осей (FWHM)   10 градусов
  • Режим поляризации   TE
  • Эффективность наклона   4,7 W/А
  • Рабочий ток Iop   28А
  • Пороговый ток Ith   1,1 А
  • Рабочее напряжение   18v
  • Эффективность преобразования   40%
  • Ширина импульса   100um
  • Рабочий цикл   0,10%
  • Частота повторения   5000Hz
  • Рабочая Температура   25℃
  • Температурный коэффициент длины волны   0,31 nm/℃

Лазерный чип: 905nm