More products
150W 905nm High Power Diode Laser Chip
р.
р.
В корзину
Центральная длина волны 890nm - 905nm - 920nm
Выходная мощность 150w
Рабочий режим QCW
Ширина спектра 5nm
Ширина излучателя 500um
Ширина чипа 400um
Длина полости 750um
Толщина 150um
Быстрое расхождение осей (FWHM) 30 градусов
Медленное расхождение осей (FWHM) 10 градусов
Режим поляризации TE
Эффективность наклона 4,7 W/А
Рабочий ток Iop 28А
Пороговый ток Ith 1,1 А
Рабочее напряжение 18v
Эффективность преобразования 40%
Ширина импульса 100um
Рабочий цикл 0,10%
Частота повторения 5000Hz
Рабочая Температура 25℃
Температурный коэффициент длины волны 0,31 nm/℃
Лазерный чип: 905nm
Left
Right
Ваше имя
Ваш Email
Ваш телефон
Отправить