More products

20W 808nm Umounted Semiconductor Diode Laser Bars and Chips

В корзину
  • Центральная длина волны   808nm
  • Выходная мощность   20 Вт
  • Режим работы   CW
  • Модуляция мощности   100%
  • Количество излучателей   47
  • Ширина излучателя   80um
  • Длина полости1000um
  • Шаг эмиттера   200um
  • Коэффициент заполнения   40%
  • Ширина полосы   10000um
  • Пороговый ток   9~10А
  • Рабочий ток   26~28А
  • Рабочее напряжение   1,7-1,9V
  • Эффективность наклона   1,2 W/А
  • Медленное расхождение оси   12
  • Расхождение по быстрой оси   36
  • Спектральная ширина   4nm
  • Температурные характеристики   0,28nm/℃
  • Поляризация    TE
  • Рабочая температура   LD25℃

Лазерный чип: 808nm