More products
80W 808nm CS Bond Single Bar Laser Diode
р.
р.
В корзину
Центральная длина волны 808nm
Допустимое отклонение длины волны ±5nm
Выходная мощность 80w
Ширина спектра на полувысоте ≤5nm
Быстрое расхождение осей (FWHM) 40 градусов
Медленное расхождение осей (FWHM) 10 градусов
Эффективность наклона ~1,1w/А
Рабочий ток Iop 45А
Пороговый ток Ith 7А
Рабочее напряжение 2,0v
Эффективность преобразования энергии 50%
Рабочая Температура 10 ~ 35℃
Температура хранения -40 - 55℃
Температурный коэффициент ~0,3nm/℃
Однополосный диод: 808nm
Left
Right
Ваше имя
Ваш Email
Ваш телефон
Отправить