10W 850nm F Mount Diode Laser

  • Центральная длина волны    850nm
  • Допустимое отклонение длины волны    ±10nm
  • Выходная мощность   10w
  • Рабочий ток Iop   10А
  • Пороговый ток Ith   2А
  • Рабочее напряжение    2.2v
  • Температура испытания    25℃
  • Температура хранения    -40 - 80℃
  • Длина волны Темп. Коэффициент     0,35nm/℃

Одиночный излучатель: F-Mount