More products
3W 808nm CW Single Emitter Laser Chip
р.
р.
В корзину
Центральная длина волны 808nm
Выходная мощность 3W
Рабочий режим CW
Ширина спектра 2nm-3nm
Ширина излучателя 100um
Шаг эмиттера 500um
Длина полости 2000um
Толщина 110um - 130um - 150um
Быстрое расхождение осей (FWHM) 35 градусов - 40 градусов
Медленное расхождение осей (FWHM) 9 градусов - 11 градусов
Режим поляризации TE
Эффективность наклона 1,1W/A - 1,2W/A
Лазерный чип: 808nm
Left
Right
Ваше имя
Ваш Email
Ваш телефон
Отправить