More products

1W 2W 785nm F-mounted Laser Diode for Raman Spectrometer

В корзину
  • Центральная длина волны λ    785nm
  • Допустимое отклонение длины волны    ±5nm
  • Выходная мощность    2w
  • Спектральная ширина    4nm
  • Быстрое расхождение осей (FWHM)    30Deg
  • Медленная дивергенция оси (FWHM)    10Deg
  • Рабочий ток Iop    2.2 А
  • Пороговый ток Ith    0,5 А
  • Рабочее напряжение    1.8v
  • Эффективность преобразования энергии    50%
  • Рабочая Температура   15 ~ 35℃
  • Температура хранения    -30 ~ 70℃
  • Температурный коэффициент длины волны ～0,3nm/℃

Одиночный излучатель: F-Mount