300W 808nm Single Bar Laser Chip

  • Длина волны импульса 803nm — 808nm — 813nm
  • Выходная мощность 300W
  • Рабочий режим CW
  • Ширина спектра 4nm
  • Количество излучателей 60
  • Ширина излучателя 120um
  • Шаг эмиттера 160um
  • Фактор заполнения 75%
  • Ширина полосы 9900um — 10000um — 10100um
  • Длина полости 1490um — 1500um — 1510um
  • Толщина 110um — 130um — 150um
  • Быстрое расхождение осей (FWHM) 39 градусов
  • Медленное расхождение осей (FWHM) 12 градусов
  • Режим поляризации ТE
  • Эффективность наклона 1,05 W/A — 1,15 W/A

Лазерный чип: 808nm