More products
2W 830nm Single-emitter SE Bare Laser Bar
р.
р.
В корзину
Центральная длина волны 808nm
Выходная мощность 2w
Режим работы CW
Модуляция мощности 100%
Ширина излучателя 40um
Длина полости 2000um
Высота чипа 150um
Чип Widch 400um
Пороговый ток 0,3 А
Рабочий ток 2А
Рабочее напряжение 1,8v
Длина импульса 808nm
Эффективность наклона 1,2W/А
Эффективность преобразования 55%
Медленное расхождение оси 10
Расхождение по быстрой оси 35
Спектральная ширина 3nm
Поляризация ТE
Температурные характеристики 0,28 nm/℃
LDРабочая температура 25℃
Лазерный чип: 830nm
Left
Right
Ваше имя
Ваш Email
Ваш телефон
Отправить