More products
140W 905nm Single Emitter Diode Laser Chip
р.
р.
В корзину
Центральная длина волны 890nm - 905nm - 920nm
Выходная мощность 140W
Рабочий режим QCW
Ширина спектра 5nm
Ширина излучателя 300*14um
Ширина чипа 400um
Толщина 150um
Быстрое расхождение осей (FWHM) 30 градусов
Медленное расхождение осей (FWHM) 13 градусов
Режим поляризации TE
Эффективность наклона 4,7W/А
Рабочий ток Iop 22А - 30А
Пороговый ток Ith 0,8 А
Рабочее напряжение 11v - 12v
Эффективность преобразования 41%
Ширина импульса 200um
Рабочий цикл 0,10%
Частота повторения 5000Hz
Рабочая Температура 25℃
Температурный коэффициент длины волны 0,31nm/℃
Лазерный чип: 905nm
Left
Right
Ваше имя
Ваш Email
Ваш телефон
Отправить