140W 905nm Single Emitter Diode Laser Chip

  • Центральная длина волны   890nm - 905nm - 920nm
  • Выходная мощность   140W
  • Рабочий режим   QCW
  • Ширина спектра   5nm
  • Ширина излучателя   300*14um
  • Ширина чипа  400um
  • Толщина   150um
  • Быстрое расхождение осей (FWHM)   30 градусов
  • Медленное расхождение осей (FWHM)   13 градусов
  • Режим поляризации   TE
  • Эффективность наклона   4,7W/А
  • Рабочий ток Iop   22А - 30А
  • Пороговый ток Ith   0,8 А
  • Рабочее напряжение   11v - 12v
  • Эффективность преобразования 41%
  • Ширина импульса   200um
  • Рабочий цикл   0,10%
  • Частота повторения   5000Hz
  • Рабочая Температура   25℃
  • Температурный коэффициент длины волны   0,31nm/℃

Лазерный чип: 905nm