More products

1W 808nm TO Diode Laser

В корзину
  • Центральная длина волны    808nm
  • Допустимое отклонение длины волны    ±10nm
  • Выходная мощность    1w
  • Быстрое расхождение осей    38Deg
  • Медленное расхождение осей   12Deg
  • Рабочий ток Iop    2.2А
  • Пороговый ток Ith    0,2 А
  • Рабочее напряжение    2v
  • Рабочая Температура   -40 ~ 65℃
  • Температура хранения    -40 ~ 80℃

Одиночный излучатель: TO-Mount