More products

8W 808nm LD Chip on Submount

В корзину
  • Центральная длина волны   808nm
  • Допустимое отклонение длины волны   ±5nm
  • Выходная мощность   8w
  • Ширина спектра на полувысоте   6nm
  • Эффективность наклона   1,0w/А
  • Дивергенция по быстрой оси   30 градусов
  • Дивергенция медленной оси   10 градусов
  • Рабочий ток Iop   12А
  • Пороговый ток Ith   1,5 А
  • Рабочее напряжение   1,8v
  • Эффективность преобразования энергии   50%
  • Рабочая Температура   15 - 55℃
  • Температура хранения   -30 ~ 70℃
  • Температурный коэффициент длины волны   0,3nm/℃

Лазерный диод: 808nm