More products
2000W 803nm Horizontal Stack Diode Laser
р.
р.
В корзину
Центральная длина волны 803nm±5nm
Выходная мощность 2000w
Количество баров 10
Рабочий режим QCW
Быстрое расхождение осей (FWHM) 40 градусов
Медленная дивергенция оси (FWHM) 10 градусов
Ширина спектра на полувысоте 6nm
Ширина импульса 400
Частота 25 Гц
Рабочий ток Iop 200А
Пороговый ток Ith 25А
Рабочее напряжение 10v
Температура испытания 60 ℃
Температура хранения -55 ~ +85℃
Температурный коэффициент длины волны 0,3nm/℃
Горизонтальный диод: 808nm
Left
Right
Ваше имя
Ваш Email
Ваш телефон
Отправить