More products
3W 850nm Vcsel Die Laser Diode Chip
р.
р.
В корзину
Центральная длина волны 850nm±10nm
Выходная мощность 3w
Рабочий режим QCW
Ширина импульса 0,5ms
Рабочий цикл 1%
Угол расхождения 22 градуса
Количество излучателя 624
Рабочий ток Iop 4А
Пороговый ток Ith 680 мА
Рабочее напряжение 2,3v
Температура испытания 25℃
Температура хранения -40 ~ 105℃
Стандарт количества IATF-16949
VCSEL: VCSEL Die
Left
Right
Ваше имя
Ваш Email
Ваш телефон
Отправить