More products

3W 850nm Vcsel Die Laser Diode Chip

В корзину
  • Центральная длина волны    850nm±10nm
  • Выходная мощность    3w
  • Рабочий режим    QCW
  • Ширина импульса    0,5ms
  • Рабочий цикл   1%
  • Угол расхождения   22 градуса
  • Количество излучателя    624
  • Рабочий ток Iop     4А
  • Пороговый ток Ith   680 мА
  • Рабочее напряжение    2,3v
  • Температура испытания    25℃
  • Температура хранения    -40 ~ 105℃
  • Стандарт количества    IATF-16949

VCSEL: VCSEL Die