905nm 75W Single Emitter Laser Chip on Submount Package

  • Центральная длина волны   905nm
  • Выходная мощность   75W
  • Режим работы   QCW
  • Ширина излучателя   135um
  • Длина полости   1000um
  • Высота чипа   125um
  • Шаг эмиттера   400um
  • Пороговый ток   0,68 А
  • Рабочий ток   20А
  • Рабочее напряжение   6,3v
  • Эффективность наклона   3,2W/А
  • Общая эффективность преобразования   40%
  • Медленное расхождение оси   9
  • Расхождение по быстрой оси   27
  • Спектральная ширина   4nm
  • Поляризация   TE

Лазерный чип: 905nm